一种24 GHz CMOS功率放大器设计

• 作者: 何进 常胜 彭尧 王冲 王豪 黄启俊
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 功率放大器 变压器耦合 功率合成
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 716-720
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201904.0716

摘要

基于130nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种高增益和高输出功率的24 GHz功率放大器.通过片上变压器耦合实现阻抗匹配和功率合成,有效改善放大器的匹配特性和提高输出功率.放大器电路仿真结果表明,在1.5 V供电电压下,功率增益为27.2 dB,输入输出端回波损耗均大于10 dB,输出功率1 dB压缩点13.2 dBm,饱和输出功率17.2 dBm,峰值功率附加效率13.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王豪	武汉大学物理科学与技术学院	69	158	6.0	8.0
2	常胜	武汉大学物理科学与技术学院	92	343	9.0	13.0
3	黄启俊	武汉大学物理科学与技术学院	128	515	11.0	15.0
4	王冲	武汉大学物理科学与技术学院	14	115	5.0	10.0
5	何进	武汉大学物理科学与技术学院	34	70	5.0	7.0
6	彭尧	武汉大学物理科学与技术学院	4	6	2.0	2.0