一种基于噪声抵消技术的高线性LNA设计

• 作者: 刘廷敏
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三阶互调失真分量抵消 二阶互调失真分量抵消 噪声抵消 宽带低噪声放大器 高线性
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 工程应用
• 页码范围: 734-738
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2019.07.012

摘要

本文提出了一种基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器(LNA).通过互补CMOS并联推拉结构的采用,抵消掉二阶互调失真分量(IMD2).改进的噪声抵消电路也可以有效地抑制三阶互调失真分量(IMD3).虽然噪声和失真的最优化抵消点不同,但是噪声系数并没有恶化.基于标准的90 nm CMOS工艺对LNA进行流片实现,该LNA在0.1～3.9 GHz频段内,取得了21.5～24.3 dBm的二阶输入截止点,2.6～3.8 dBm的三阶输入截止点,13.6 dB的最大功率增益,1.9～3.8 dB的噪声系数.该LNA在1.1V电压的供电下,消耗了19.5 mW的功耗,芯片面积仅为0.0095 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘廷敏		7	0	0.0	0.0