基于GaN HEMT脉冲功率放大器特性的功率控制策略研究

• 作者: 武庆威
• 来源期刊: 无线电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 有源阵列天线 功率控制策略
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 专题技术与工程应用
• 页码范围: 930-933
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 1611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3106.2019.10.017

摘要

针对国产GaN HEMT脉冲功率放大器在雷达模拟器应用中无法实现有效辐射功率6 dB内衰减控制的实际问题,分析了该类功率管的工作特性,提出了一种通过控制辐射单元数量和组合的控制策略实现雷达模拟器有效辐射功率6 dB内衰减控制的方法,并进行理论计算、 仿真分析和实际测试,结果均表明在允许误差1 dB范围内,该控制策略是合理可行的.