750V汽车级IGBT芯片与模块研制

• 作者: 姚尧 罗海辉 肖强 肖海波
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 嵌入式发射极沟槽 嵌入式陪栅沟槽
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 118-120
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

研制了一款新型的750 V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820 A/750 V S3+汽车级模块产品.该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6％.同时,该S3+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求.