H2O2氧化处理ZnO沟道层对薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 张文通 李博 王天宇 金宝昌 高晓红
• 来源期刊: 电脑知识与技术:学术版
• 学科: 教育
• 关键词: 射频磁控溅射 ZNO薄膜 H2O2氧化处理
• 年，卷（期）: 2019,（4X）
• 页码范围: 250-252
• 页数: 3页
• 分类号: G642

摘要

通过射频磁控溅射ZnO薄膜的方法制备了以ZnO为有源层的薄膜晶体管器件。研究了H2O2处理ZnO薄膜的不同位置对TFT器件的影响。采用PL测试表征材料的缺陷密度,用SEM表征了氧化处理前后的ZnO薄膜材料的表面形貌。结果表明利用H2O2处理ZnO薄膜与源漏电极的接触界面会使器件的关态电流降低2个数量级,氧化处理后的ZnO薄膜具有较低的缺陷密度和较好的结晶状态,TFT器件的电流开关比为7.5×10^5,阈值电压Vth为9V,亚阈值摆幅为2V/decade,场效应迁移率为0.85cm·V^-1·s^-1。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高晓红	吉林建筑大学电气与计算机学院	34	266	4.0	16.0
2	李博	吉林建筑大学电气与计算机学院	10	2	1.0	1.0
3	张文通	吉林建筑大学电气与计算机学院	5	0	0.0	0.0
4	王天宇	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0
5	金宝昌	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0