W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC

• 作者: 刘宇 徐波 戈勤 王维波 郭方金 陶洪琪 马晓华
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管 W波段 功率放大器 微带线 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 24-29
• 页数: 6页
• 分类号: TN722
• 字数: 2503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19665/j.issn1001-2400.2020.01.004

摘要

采用100 nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路.该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底.放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网络,实现较高的增益和较高的输出功率.同时,该放大器通过由1/4波长微带线构成的直流偏置网络进行片上集成设计,实现全单片集成.测试结果表明,当工作电压为15 V时,该放大器芯片在88～98 G Hz范围内,典型小信号增益为20 dB,连续波状态下饱和输出功率大于250 mW.在98 GHz下,芯片实现最大输出功率为405 mW,功率增益为13 dB,功率附加效率为14.4％.因此,该GaN功率放大器芯片输出相应的最大功率密度达到3.4 W/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宇	中国科学院成都文献情报中心	202	1899	22.0	36.0
2	马晓华	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	40	140	7.0	8.0
3	王维波		7	15	3.0	3.0
4	徐波		3	6	1.0	2.0
5	陶洪琪		7	29	3.0	5.0
6	戈勤		2	0	0.0	0.0
7	郭方金		2	3	1.0	1.0