基于大信号模型的L波段400W高效GaN功率放大器设计

• 作者: 周书同 殷晓星 钟世昌 陈堂胜
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 放大器 GaN 模型 内匹配 L波段
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 398-402
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.7+6
• 字数: 2209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.02.024

摘要

文章阐述了用精确的GaN Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的GaN器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压GaN大信号模型.采用模型设计的GaN放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55 mm栅宽GaN管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10％占空比偏置下在1.2～1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3％,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜		56	225	8.0	12.0
2	殷晓星		25	129	7.0	10.0
3	钟世昌		15	22	3.0	3.0
7	周书同		1	0	0.0	0.0