纳米Cu/SiO2薄膜制备及其性能

• 作者: 张明朝 李玲 陈卫东
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Cu薄膜阵列 方均根粗糙度 退火温度 透射率
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 521-527
• 页数: 7页
• 分类号: TG156
• 字数: 3737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2020.04.016

摘要

采用热蒸发在载玻片和SiO2衬底上沉积约5.12 nm的Cu薄膜,再用退火炉分别进行100、200、300、400和500℃等5个温度退火,得到不同温度下的纳米Cu薄膜.用原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究不同退火温度对纳米Cu薄膜表面形貌、粒子分布和光学性质的影响.实验结果表明:当纳米Cu薄膜在载玻片上生长Cu颗粒阵列时,需要将退火温度控制在200℃左右;若使纳米Cu薄膜在SiO2薄膜表面也能生长Cu颗粒阵列,退火温度比没有沉积SiO 2薄膜的衬底高100℃,此时纳米Cu颗粒对应方均根粗糙度为7.20 nm、峰高(Skewness)为1.75,以及偏态(Kurtosis)为5.67,仅透射率略低9％.这样的Cu颗粒阵列更利于做超结构薄膜与完美吸收的顶层纳米金属颗粒.当退火温度为500℃时,载玻片上生长Cu薄膜的透射率出现一个相对稳定的波段,该工艺条件制备出来的纳米Cu薄膜,可以用来制作一些微型芯片,而SiO2薄膜表面生长使纳米Cu薄膜对应方均根粗糙度为6.25 nm、峰高为0.57,以及偏态为2.66.这样的Cu颗粒阵列不仅能够做大频率光电波吸收,还可以用作全固态电池中电解质上层的导电层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玲	四川师范大学物理与电子工程学院	33	61	5.0	6.0
2	张明朝	四川师范大学物理与电子工程学院	2	1	1.0	1.0
3	陈卫东	四川师范大学物理与电子工程学院	8	38	3.0	6.0