GaN基底上单层WS₂调控生长及其光学性质研究

• 作者: 吴志明 吴雅苹 孙保帆 康俊勇 曾昊 李煦 李金钗 陈嘉俊
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 工学
• 关键词: 二硫化钨 化学气相沉积 氮化镓 异质结
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 412-421
• 页数: 10页
• 分类号: TN3

摘要

本文采用化学气相沉积法在GaN上调控生长了单层WS2,并研究了基底耦合效应对其光学性质的影响。研究结果显示,生长温度为850℃,可以生长出质量较好的单层三角形WS2;当温度大于900℃时,GaN基底表面开始发生分解,不利于材料生长。通过载气H2流量调节,可在基底上生长出满覆盖的WS2。GaN基底上生长的三角形WS2呈现良好的60?旋转对称性,通过GaN纳米柱上WS2的生长与第一性原理模拟计算,推测出了WS2/GaN样品的稳定结构。通过拉曼表征发现,GaN基底会对WS2产生一定的张应力作用,使E2g1拉曼峰和激子峰出现红移,并且由于WS2与GaN基底形成Ⅱ型异质结能带结构,WS2/GaN样品出现发光淬灭现象。本文为开发新型二维光电子器件提供了一定的实验依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雅苹	厦门大学物理系	6	13	3.0	3.0
2	康俊勇	厦门大学物理系	29	84	5.0	8.0
3	李金钗	厦门大学物理系	4	8	2.0	2.0
4	吴志明	厦门大学物理系	7	17	3.0	4.0
5	李煦	厦门大学物理系	2	1	1.0	1.0
6	曾昊	厦门大学物理系	1	0	0.0	0.0
7	孙保帆	厦门大学物理系	1	0	0.0	0.0
8	陈嘉俊	厦门大学物理系	1	0	0.0	0.0