原位SiNx掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响

• 作者: 丛妍 于乃森 周均铭 曹保胜 李夏南
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 金属有机化学气相沉积 应力 原位氮化硅掩膜
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 776-779
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.002

摘要

研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响.通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放.相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移.我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周均铭	中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室	29	95	6.0	8.0
2	丛妍	大连民族学院理学院光电子技术研究所	14	35	3.0	4.0
3	于乃森	大连民族学院理学院光电子技术研究所	16	23	3.0	4.0
4	曹保胜	大连民族学院理学院光电子技术研究所	19	25	3.0	3.0
5	李夏南	大连民族学院理学院光电子技术研究所	1	3	1.0	1.0