碳化硅晶圆划片技术研究

• 作者: 韩瑞 高爱梅 黄卫国
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅划片 晶圆划片 隐形划片
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2007字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、导热性好、载流子迁移率高等优点,是第三代半导体材料的代表之一.因其莫氏硬度大,致使划片难度增大,严重制约了碳化硅器件的规模化发展;通过分析碳化硅的材料特性和现有划片技术特点,结合工艺试验,提出了几种碳化硅晶圆的划片方法,给出工艺参数并分析各自的优缺点,获得了理想的加工工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高爱梅	中国电子科技集团公司第四十五研究所	9	9	2.0	2.0
2	黄卫国	中国电子科技集团公司第四十五研究所	3	1	1.0	1.0
3	韩瑞	中国电子科技集团公司第四十五研究所	2	0	0.0	0.0