基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
介绍了快速关断半导体开关(DSRD)的工作原理,研究了开关内部的物理过程,分析了系统参数对开关输出特性的影响,研究发现:基区材料的击穿阈值越高、载流子饱和漂移速度越大输出电压上升速率越快;基区高的电场击穿阈值或低的掺杂浓度会增加器件关断时间和最大工作电压;考虑各参数的影响,基于高击穿阈值的DSRD是实现快脉冲输出的理想器件;缩短正向泵浦时间可有效抑制预脉冲,当正向泵浦时间小于200 ns时,输出脉冲波形基本不变;为了获得理想的脉冲前沿,反向电流应在达到峰值时完成对注入电荷的抽取.设计了单前级开关的DSRD泵浦电路,研制了基于DSRD的快脉冲产生系统,输出脉冲前沿约4 ns,电压约8 kV,电压上升速率约2 kV/ns,满足FID开关器件对触发电压的要求.
推荐文章
影响超快光电导开关关断特性的主次因素
光电半导体开关
关断特性
影响因素
半导体断路开关实验研究
半导体断路开关
脉冲功率
能量传递效率
高压快速离化半导体开关及其脉冲压缩特性
高压脉冲
快速离化器件
半导体开关
等离子体
脉冲压缩
六级半导体制冷器工作特性的实验研究
六级半导体制冷器
工作特性
实验研究
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 快速关断半导体开关工作特性及实验研究
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 固态脉冲发生器 高功率半导体断路开关 快前沿脉冲 脉冲功率技术
年,卷(期) 2020,(2) 所属期刊栏目 脉冲功率技术
研究方向 页码范围 76-80
页数 5页 分类号 TN62
字数 2519字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB202032.190298
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 金晓 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室 59 316 10.0 14.0
2 王淦平 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室 28 86 5.0 7.0
6 宋法伦 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室 14 68 5.0 8.0
7 李飞 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室 4 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (13)
共引文献  (13)
参考文献  (12)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1981(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1996(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2000(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2005(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2007(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2009(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2010(4)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(1)
2011(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2012(5)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(4)
2013(3)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(2)
2015(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2016(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2017(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2018(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2020(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
固态脉冲发生器
高功率半导体断路开关
快前沿脉冲
脉冲功率技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导