基于0.25μm GaN的2～12 GHz连续波10 W功率放大器

• 作者: 刘士奇 周云 周文硕
• 来源期刊: 无线电工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管 连续波 分布式放大器 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 电磁场与微波
• 页码范围: 395-399
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 2314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3106.2020.05.011

摘要

针对超宽带、 高功率和高效率放大器的设计和制作难点问题,设计了一种基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管技术(High Electron Mobility Transistor,HEMT),实现了2～12 GHz高功率和高效率的宽带单片微波集成电路放大器.通过采用非均匀分布式放大电路结构、优化电路的静态直流工作点、采用宽带匹配技术等措施,保证了电路的带宽、 功率和效率指标.该单片放大器芯片尺寸为3.35 mm×2.60 mm,芯片测试结果表明在2～12 GHz频率范围内,漏极电压28 V、 连续波条件下,放大器的小信号增益大于11 dB,大信号增益大于7 dB,饱和输出功率大于40 dBm,功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)为30％～45％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘士奇	中国电子科技集团公司第五十四研究所	2	0	0.0	0.0
2	周云	陆军北京军代局驻石家庄地区军代室	4	2	1.0	1.0
3	周文硕	中国电子科技集团公司第五十四研究所	4	5	1.0	2.0