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摘要:
在相同的功耗下,串联耦合正交电感电容压控振荡器相位噪声性能优于并联耦合电感电容压控振荡器.但是在传统的串联耦合正交电感电容压控振荡器中,LC谐振腔中存在45°的相位偏移使得其相位噪声被恶化.因此提出一种交流偏置的串联耦合正交电感电容压控振荡器.该振荡器中的LC谐振腔的相移接近0°,并且耦合MOS管的低频噪声上变频的相位噪声部分受到抑制.所以该交流偏置的串联耦合正交电感电容压控振荡器可以获得较好的相位噪声性能.所提出的正交电感电容压控振荡器在TSMC 180 nm CMOS工艺下设计完成.其输出频率调谐范围为2.34 GHz~2.60 GHz,电源电压为1.8 V,功耗约为11.2 mW.输出频率为2.58 GHz时,3 MHz频偏处的相位噪声为-140.1 dBc/Hz,相较于传统串联耦合正交振荡器优化了6.4 dB.该振荡器的品质因子为188.3 dBc/Hz,平均相位误差为0.05°.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种低相位噪声的正交电感电容压控振荡器的设计
来源期刊 信息技术与网络安全 学科 工学
关键词 CMOS集成电路 正交压控振荡器 相位噪声 相位误差 低频噪声
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目 计算机硬件
研究方向 页码范围 58-62
页数 5页 分类号 TN432
字数 2226字 语种 中文
DOI 10.19358/j.issn.2096-5133.2020.05.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林福江 中国科学技术大学信息科学技术学院 44 42 3.0 4.0
2 罗永双 中国科学技术大学信息科学技术学院 1 0 0.0 0.0
3 赵唯辰 中国科学技术大学信息科学技术学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS集成电路
正交压控振荡器
相位噪声
相位误差
低频噪声
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息技术与网络安全
月刊
2096-5133
10-1543/TP
大16开
北京市海淀区清华东路25号(北京927信箱)
82-417
1982
chi
出版文献量(篇)
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