掺磷多晶硅的干法刻蚀工艺研究

• 作者: 刘瑞 吴昊 孙俊敏 李玲 武晓玮 白雪 葛欢 赵万利
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体制造 多晶硅 掺杂 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 页码范围: 509-518
• 页数: 10页
• 分类号: TN3

摘要

本文主要研究功率器件中多晶硅栅的干法刻蚀工艺。首先阐述了多晶硅在金属–氧化物–半导体场效应晶体管(MOSFET)中的重要作用,提出当前多晶硅常采用干法刻蚀工艺实现其微观形貌,同时介绍了干法刻蚀的基本原理。然后重点研究了掺杂对多晶硅刻蚀后形貌的影响,通过对表面异常的表征与分析,探究优化的工艺路线,提出掺杂后的多晶硅必须经过表面湿法处理才可以进入光刻、刻蚀工步。最后将以上优化后的多晶硅刻蚀方案应用于一款6500 V/20 A SiC MOSFET的工艺流程,实测电学性能表现优异。