基于130 nm工艺嵌入式SRAM单粒子软错误加固技术研究

• 作者: 周国昌 巨艇 张健 王轩 赖晓玲
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 嵌入式SRAM 单粒子软错误 抗辐照ASIC
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 通信与导航
• 页码范围: 63-70
• 页数: 8页
• 分类号: TN929.13
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2020.05.011

摘要

在空间环境中,嵌入式SRAM易受高能粒子的作用发生单粒子软错误,针对这一现象,文章研究了深亚微米工艺下嵌入式SRAM的单粒子软错误加固技术,提出了版图级、电路级与系统级加固技术相结合的SRAM加固方法以实现减小硬件开销、提高抗单粒子软错误的能力.并基于该方法设计了电路级与TMR(三模冗余)系统级加固相结合、电路级与EDAC(纠检错码)系统级加固相结合和只做电路级加固的3种测试芯片.在兰州近物所使用Kr粒子对所设计的测试芯片进行单粒子软错误实验,实验结果表明,系统级加固的SRAM抗单粒子软错误能力与写入频率有关,其中当SRAM的写入频率小于0.1s时,较只做电路级加固的芯片,系统级和电路级加固相结合的SRAM可实现翻转bit数降低2个数量级,从而大大优化了SRAM抗单粒子软错误的性能.并根据实验数据量化了加固措施、写频率和SRAM单粒子翻转截面之间的关系,以指导在抗辐照ASIC(专用集成电路)设计中同时兼顾资源开销和可靠性的SRAM加固方案的选择.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周国昌		20	50	4.0	5.0
2	张健		12	45	3.0	6.0
3	赖晓玲		16	29	3.0	4.0
4	巨艇		13	34	3.0	4.0
5	王轩		6	4	1.0	1.0