Au/Cd复合电极沉积方法对其与(111)面CdZnTe衬底接触性能的影响

• 作者: 夏义本 师好智 张继军 曹萌 王振辉 王林军 王淑蕾 穆成阳 薛名言 黄健
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe Au/Cd复合电极 沉积方法 势垒高度
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 595-600
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.05.009

摘要

CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底.为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能,作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnTe晶片(111)B(富碲面)制备Au/Cd复合电极.通过接触粘附试验,研究了复合电极的制备方法对电极与衬底之间的粘附性;利用卢瑟福背散射光谱法(RBS)比较了不同沉积方法下样品的元素深度分布;采用电流-电压(I-V)测试比较了两种制备工艺对Au/Cd复合电极与CdZnTe衬底欧姆接触特性的影响,从而确定了最佳复合电极的制备工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏义本		111	725	13.0	19.0
2	王林军		109	441	11.0	14.0
3	黄健		17	28	3.0	4.0
4	张继军		20	48	4.0	6.0
5	曹萌		6	4	1.0	2.0
6	师好智		1	0	0.0	0.0
7	王淑蕾		1	0	0.0	0.0
8	王振辉		1	0	0.0	0.0
9	穆成阳		1	0	0.0	0.0
10	薛名言		1	0	0.0	0.0