全SiC/半SiC智能功率模块功耗研究

• 作者: 冯宇翔
• 来源期刊: 家电科技
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 智能功率模块 功耗
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 家电材料研究专题
• 页码范围: 92-94
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.19784/j.cnki.issn1672-0172.2020.04.014

摘要

研究了全SiC智能功率模块、半SiC智能功率模块和Si智能功率模块的功耗.实验结果发现在20 Hz～90 Hz电机频率条件下,全SiC模块IPM-1功耗最低;全Si模块IPM-4模块功耗最高;只将开关器件替换为SiC-MOS功耗低于只将二级管替换为SiC-SBD;其功耗关系为IPM-1 (SiC-MOS+SiC-SBD)＜ IPM-2 (SiC-MOS+Si-FRD)＜ IPM-3 (Si-IGBT+SiC-SBD)＜ IPM-4 (Si-IGBT+Si-FRD);将SiC栅极电阻降低后SiC IPM功耗降低;增加SiC-MOS栅极电压后SiC IPM功耗降低.适当降低全SiC IPM的栅极电阻、增加SiC-MOS栅极电压可以进一步降低SiC IPM的功耗.全SiC智能功率模块的功耗最高可降低约40％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯宇翔		5	4	1.0	2.0