皮秒激光脉冲串对单晶硅切割质量影响

• 作者: 汪于涛 袁山山 骆公序 李文兵 王丽 陈亮 沈佳骏
• 来源期刊: 应用激光
• 关键词: 脉冲串 单晶硅 热影响区 表面形貌
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 878-883
• 页数: 6页
• 分类号: TN249
• 语种: 中文
• DOI: 10.14128/j.cnki.al.20204005.878

摘要

利用紫外皮秒激光器脉冲串模式对单晶硅材料进行切割测试研究,分析了不同子脉冲数量情况下单脉冲能量变化对热影响区大小、表面形貌效果、切缝宽度以及切割深度的影响.研究结果表明,脉冲串模式可以有效地降低热影响区,减少重熔层的产生.随着单脉冲能量的增加,脉冲串相比于单脉冲模式产生的热影区差值逐步增大,由增加脉冲串子脉冲数量而导致的热影响区减小效应愈加明显.当脉冲串中子脉冲数量为3或者5,脉冲能量为8 μJ时产生的热影响区和表面形貌效果与单脉冲模式下脉冲能量为2μJ的效果基本一致,并且切割深度是单脉冲模式切割深度的2倍.