IPM模块抗ESD能力研究

• 作者: 冯宇翔
• 来源期刊: 家电科技
• 学科: 工学
• 关键词: 静电 智能功率模块 IGBT
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 家电材料研究专题
• 页码范围: 85-87
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.19784/j.cnki.issn1672-0172.2020.04.012

摘要

为研究IPM ESD失效的原因,提出解决ESD问题的办法,遂进行了ESD回路理论分析及实验验证.由于驱动IC内部有ESD二极管结构,会导致在IPM某两个引脚上打ESD时,ESD电压通过驱动IC内部的ESD二极管传输到IGBT的栅极上,导致IPM ESD失效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯宇翔		5	4	1.0	2.0