继碳化硅和氮化镓后 日本在重金加码氧化镓

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 化合物半导体 氮化镓 氧化镓 GaN 碳化硅 第三代 发展前景 独特优势
• 年，卷（期）: bdtxx_2020,（5）
• 页码范围: 12-12
• 页数: 1页
• 分类号: TN3

摘要

碳化硅和氮化镓号称第三代化合物半导体的双雄,由于其广阔的发展前景,受到广泛的关注,国内众多厂商亦在纷纷布局。然而,SiC和GaN并不是唯二选项。最近,氧化镓(Ga2O3)再一次走入了业界的视野,凭借其比SiC和GaN更宽的禁带,该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。而在该领域走在全球前列的日本,率先向氧化镓展露了野心。