一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET 紧凑型模型

• 作者: 乔明 何小东 冯骏波 张森 张波 江逸洵 高文明
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 屏蔽栅沟槽 MOSFET 紧凑型模型 BSIM4 Verilog-A
• 年，卷（期）: 2020,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 354-365
• 页数: 12页
• 字数: 5917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200359

摘要

提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加了屏蔽栅-漏等效电容模型,栅漏电容模型将栅漏偏置电压修改为栅极同栅-漂移区重叠区末端节点的电势差.使用泊松方程求解该节点电势,并引入栅氧厚度因子k1、屏蔽栅氧化层厚度因子k2、等效栅-漂移区重叠长度Lovequ和等效屏蔽栅长LSHequ对栅和屏蔽栅的结构进行等效,以简化泊松方程的计算并确保该节点电势曲线的光滑性.使用Verilog-A编写模型程序,搭建实验平台测试屏蔽栅沟槽MOSFET的直流特性、电容特性和开关特性,模型仿真结果与测试数据有较好的拟合,验证了所建模型的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	张森		2	1	1.0	1.0
3	江逸洵	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	高文明		1	0	0.0	0.0
5	何小东		1	0	0.0	0.0
6	冯骏波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0