瞬时剂量率效应激光模拟测试技术

• 作者: 倪涛 曾传滨 杜川华 王娟娟 罗家俊 赵发展 高林春 高见头
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 剂量率效应 激光模拟 体硅器件 SOI器件
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 1157-1161
• 页数: 5页
• 分类号: TN60
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA2019319

摘要

瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素.本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1064 nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统.利用此系统开展了不同工艺节点、不同沟道类型、不同衬底形式的瞬时剂量率效应实验研究.仿真实验结果表明相同条件下,体硅器件光电流比绝缘衬底上的硅(SOI)器件大10倍以上,光电流受源漏电压影响也大于SOI器件.