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基于栈式自编码网络的直拉硅单晶生长过程V/G软测量建模
基于栈式自编码网络的直拉硅单晶生长过程V/G软测量建模
作者:
万银
刘丁
任俊超
刘聪聪
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
直拉硅单晶生长
栈式自编码网络
固液界面V/G
软测量建模
摘要:
在直拉硅单晶生长过程中,晶体质量与固液界面V/G密切相关,实现V/G的在线监测,对于生长低缺陷、无位错的大尺寸硅单晶至关重要.然而,在实际工业生产中V/G的直接获取异常困难.针对该问题,提出一种基于栈式自编码网络的软测量模型SAE-ELM,以实现V/G的实时监测.所提模型采用SAE提取数据特征,并将其作为ELM网络输入以实现对V/G的回归预测.其中,为了消除噪声影响,对原始数据进行了小波分解与重构,同时考虑到易测变量与目标变量之间的相关性,构建了基于Pearson和Spearman混合相关系数,以选择与V/G相关性较强的辅助变量.根据某型号单晶炉晶体生长过程中的实验数据,将该模型的性能与其他数据驱动建模方法进行了比较,验证了所提模型的有效性.
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硅中氧
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文献信息
篇名
基于栈式自编码网络的直拉硅单晶生长过程V/G软测量建模
来源期刊
仪器仪表学报
学科
关键词
直拉硅单晶生长
栈式自编码网络
固液界面V/G
软测量建模
年,卷(期)
2020,(10)
所属期刊栏目
自动控制技术|Automatic Control Technology
研究方向
页码范围
277-286
页数
10页
分类号
TH69|TP181|TP274
字数
语种
中文
DOI
10.19650/j.cnki.cjsi.J2006585
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研究主题发展历程
节点文献
直拉硅单晶生长
栈式自编码网络
固液界面V/G
软测量建模
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
仪器仪表学报
主办单位:
中国仪器仪表学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0254-3087
CN:
11-2179/TH
开本:
大16开
出版地:
北京市东城区北河沿大街79号
邮发代号:
2-369
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
12507
总下载数(次)
27
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