He离子注入对Ge中缺陷行为的影响研究

• 作者: 柯少颖 柯海鹏 欧雪雯
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: He离子注入 射程 缺陷空位数 绝缘体上Ge
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2244-2251
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.3
• 语种: 中文

摘要

本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导.本文主要模拟了He离子入射角度、能量以及注入剂量对Ge材料损伤程度和溅射产额等的影响.研究表明:入射角度较小时,拖尾效应不明显,有利于避免沟道效应,同时缺陷空位数(DPA)也处于较低水平;能量增大导致离子射程增大,溅射产额减小,离表面越近的Ge中DPA变少,可以实现低DPA GOI材料的制备;离子注入剂量增大导致损伤区域增大且集中,然而更多的He离子聚集在射程附近,能够很好地降低GOI材料的剥离温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯海鹏		1	0	0.0	0.0
2	欧雪雯		1	0	0.0	0.0
3	柯少颖		2	0	0.0	0.0