青霉素在硼掺杂金刚石薄膜电极上的电化学行为研究

• 作者: 冯玉杰 吕江维 张杰 曲有鹏
• 来源期刊: 应用化工
• 学科: 工学
• 关键词: 硼掺杂金刚石 循环伏安 电化学阻抗谱 电化学行为 青霉素
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 1888-1891,1898
• 页数: 5页
• 分类号: TQ153.6
• 语种: 中文

摘要

采用直流等离子体化学气相沉积法制备了硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极.利用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗谱(EIS)研究青霉素在BDD电极上的电化学过程,并利用等效电路对相关的电极动力学参数进行了拟合.研究表明,青霉素G钠在电极上的电化学氧化过程为不可逆过程,氧化峰电位为2.2V,没有还原峰出现,电极表面有中间产物的吸附,但在高于水分解电压下氧化能够恢复原来的活性.当电极电位在开路电位(OCP)至1.5V时,电极过程由电荷传递过程和传质扩散过程共同控制,即电化学极化与浓差极化同时存在;当电极电位在1.8～2.5 V时,电极过程由电荷传递过程控制.