高速低功耗GaN功率放大器调制器

• 作者: 王鑫 马琳
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 漏极调制 栅极调制 可编程栅压 GaN放大器
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 45-47,50
• 页数: 4页
• 分类号: TN761
• 字数: 2399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.11.013

摘要

为了满足现代雷达调制速度需求,文章基于CMOS工艺设计了一种高速低功耗GaN功率放大器调制器芯片.芯片采用栅极调制方式,调制频率高达10 MHz.调制输出在正常栅压Vg和-5 V之间,Vg采用五位并行数字控制位编程输出,输出范围在-3.2 V到-1.2 V之间,覆盖了GaN放大器栅极所需驱动电压的所有范围.测试结果表明:接20 W GaN功率放大器时,调制上升时间为2.8 ns,下降时间2.0 ns,10 MHz工作频率下功耗5 mA.此芯片采用CMOS工艺流片,芯片面积2.4 mm×3.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鑫	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	33	4.0	4.0
2	马琳	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	3	1.0	1.0