二维Bi2Se3薄膜的制备及光电性能研究∗

• 作者: 荣泽坤 罗斯玮 钟建新
• 来源期刊: 湘潭大学学报（自然科学学报）
• 关键词: 二维材料 Bi2Se3 光电探测器 柔性器件 气相沉积
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: O152.1
• 语种: 中文

摘要

二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi2 Se3是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO2/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi2 Se3薄膜,在此基础上构建了Bi2 Se3光电探测器,测试结果表明Bi2 Se3薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.