PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池EL发黑的影响

• 作者: 张福庆 王贵梅 赵环 张军杰 朱少杰
• 来源期刊: 太阳能
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 双面太阳电池 PECVD 氮化硅薄膜 EL发黑 折射率 开槽激光
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 技术应用
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TK514|TM615
• 语种: 中文
• DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20200320.01

摘要

以采用PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证.结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶硅太阳电池的边缘位置EL发黑.对于双面单晶硅太阳电池而言,采用PECVD工艺制备背面氮化硅薄膜时制定合理的底层膜、中层膜,以及上层膜边缘的折射率范围,可以有效避免双面单晶硅太阳电池不良品的产生.