金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线及其工艺参数优化

• 作者: 王波 薛睿 高灿灿
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 金属辅助化学刻蚀法 刻蚀反应时间 刻蚀反应温度 HF浓度 搅拌速度 形貌结构
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 179-185
• 页数: 7页
• 分类号: TB321
• 语种: 中文
• DOI: 10.11936/bjutxb2019090016

摘要

为了制备形貌良好性能优良的硅纳米线,利用金属辅助化学刻蚀法,在AgNO3和HF的混合水溶液中沉积Ag颗粒,使之作为刻蚀反应的催化剂,并在H2 O2和HF的混合溶液中进行刻蚀反应制备硅纳米线.通过改变实验中的工艺参数,包括刻蚀反应时间、刻蚀反应温度、刻蚀液中HF浓度及反应过程中的搅拌速度,用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)图像进行对比分析,讨论制备优良硅纳米线的最佳参数.结果表明:当刻蚀反应时间为1 h,反应温度在室温下,HF浓度为4.8 mol/L时,硅纳米线的表面形貌是最好的,但对刻蚀液的搅拌会严重破坏硅纳米线的表面形貌,不利于优良硅纳米线的制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王波		80	638	11.0	23.0
2	高灿灿		1	0	0.0	0.0
3	薛睿		1	0	0.0	0.0