清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响

• 作者: 徐世海 边子夫 高飞 张丽 程红娟 王健 李晖
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 关键词: 氮化铝(AlN)单晶 除蜡剂 食人鱼溶液清洗法 RCA清洗法 化学机械抛光(CMP) 有机沾污
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备|Processing, Measurement and Equipment
• 页码范围: 452-457
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2021.05.014

摘要

研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗.将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果.实验结果表明,RCA清洗法清洗后晶片表面残留的有机沾污的含量最低,而食人鱼溶液清洗法可显著减小有机颗粒的尺寸,除蜡剂与丙酮和异丙醇的混合溶液对有机沾污的去除效果相近.优化的清洗工艺以丙酮和异丙醇的混合溶液作为初步清洗溶液,随后依次对晶片进行食人鱼溶液清洗和RCA清洗,应用此优化工艺清洗后的AlN单晶片表面颗粒较少,C—H键、C=O键和C—OH键的百分比分别为75.5％、20.4％和4.1％,表面粗糙度为0.069 2 nm.