SiC MOSFET模块结温监测研究

• 作者: 李凌云 何芹芹 黄德雷
• 来源期刊: 电源学报
• 关键词: 结温提取 碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) 阈值电压
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 功率半导体器件|Power Semiconductor Devices
• 页码范围: 169-174
• 页数: 6页
• 分类号: TM23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2021.3.169

摘要

碳化硅金属氧化物半导体场效应管SiC MOSFET(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect tra-nsistor)以其优异的材料特性成为一种很有前景的高功率密度和高效率器件,而结温是其设计和工作的一个重要参数,也是健康状态的重要指标.为了状态监控的需求,提出一种受自热影响较少的基于准阈值电压的结温提取方法.首先,从理论层面证实了阈值电压VTH与温度有良好的线性关系,具有负的温度敏感度.然后,实验观察了外部驱动电阻RGext对VTH的影响.最后,结合智能驱动提出了获取准阈值电压的电路,实验结果证实了所提方法的可行性.