添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷微波介电性能的影响

• 作者: 王奇峰 李谦 顾永军 高顺 李丽华 黄金亮
• 来源期刊: 河南科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: Zr0.8Sn0.2TiO4 微波介质陶瓷 介电性能 掺杂
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2021.05.003

摘要

针对Zr0.8 Sn0.2 TiO4微波介质陶瓷烧结温度高和介质损耗大等问题,以ZnO、NiO、La2 O3和Nb2 O5为添加剂,在同一试验条件下,制备了复合方式不同的Zr0.8 Sn0.2 TiO4,并对其物相组成、烧结行为、微观形貌和微波介电性能等进行了研究.研究结果表明:当添加w(ZnO)=1％,w(NiO)=0.2％,w(Nb2 O5)=1％并经1350℃烧结3 h,可获得微波介电性能优异的Zr0.8 Sn0.2 TiO4陶瓷(相对介电常数εr=38,品质因数Qf=45898 GHz,谐振频率温度系数τf=-2.2×10-6℃-1),此时其相对密度为98.6％.与无添加剂的Zr0.8Sn0.2TiO4相比,烧结温度明显降低,Qf值得到显著提升.ZnO与NiO可以降低Zr0.8 Sn0.2 TiO4的烧结温度,NiO和Nb2 O5可以增大Qf值.