In0.3Ga0.7As多层耦合表面量子点气敏特性分析

• 作者: 刘增光 杨莹丽 王国东 王俊君 杨林林 璩光明
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 关键词: 表面量子点(SQDs) GaAs隔离层 耦合结构 气敏
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨|Research & Approach
• 页码范围: 5-7,14
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2021)05-0005-03

摘要

详细分析了不同激光功率下,沉积在5层掩埋量子点(BQDs)层上的In0.3Ga0.7As表面量子点(SQDs)的气敏特性.结果表明,SQDs的存在和光照是样品具有气敏性的两个关键条件.激光功率越强,样品的气敏性越好.同时,SQDs耦合结构中,GaAs隔离层厚度越薄,样品的气敏性能越好,表明SQDs层与BQDs层之间存在的载流子跃迁对耦合结构的气敏特性具有十分重要的影响.该研究结果表明:In0.3Ga0.7As SQDs在气敏传感器领域有广阔的应用前景.