低温低偏置条件下SiGe HBT四噪声温度参数建模

• 作者: 何林 王军
• 来源期刊: 制造业自动化
• 关键词: 低温低偏置 SiGe HBT 小信号等效电路 半经验噪声模型 四噪声温度参数
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 设计与应用
• 页码范围: 132-137
• 页数: 6页
• 分类号: TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0134.2021.03.028

摘要

为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性.在传统SiGe HBT小信号等效电路模型基础上提出了一种简化的等效电路模型,根据与之对应的高频等效噪声电路,建立了一种半经验散粒噪声模型,利用噪声合成的方法验证了该模型的有效性,基于上述工作推导了一组实用的四噪声温度参数模型.7K、77K和300K条件下的模型结果共同表明:只要保证集电极-发射极电压VCE的值大于100mV～200mV,SiGe HBT就可以保持良好的噪声特性工作在低温低偏置条件下.