GaN肖特基二极管的正向电流输运和低频噪声行为

• 作者: 闫大为 田葵葵 闫晓红 李伟然 俞道欣 李金晓 曹艳荣 顾晓峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN基肖特基二极管 输运机制 低频噪声
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质|CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL,MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
• 页码范围: 355-361
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.70.20201467

摘要

首先测量了GaN肖特基二极管的正向变温电流-电压特性,研究了其电流输运机制,然后分析了在不同注入电流条件下的低频噪声行为.结果表明:1)在正向高电压区,热发射机制占主导,有效势垒高度约为1.25 eV;2)在正向低偏压区(V<0.8 V),与位错相关的缺陷辅助隧穿电流占主导,有效势垒高度约为0.92 eV(T=300 K);3)在极小电流(I<1μA)和极低频率(f<10 Hz)下,洛伦兹型噪声才会出现;电子的渡越时间取决于多个缺陷对电子的不断捕获和释放过程,典型时间常数约为30 ms(I=1μA);4)在更高频率和电流下,低频1/f噪声占主导;电流的输运主要受到势垒高度的随机波动的影响,所对应的系数约为1.1.