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摘要:
提出了一种PdSe2纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器.采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe2 NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器.光电性能测试结果表明,所设计的器件在200~1300 nm宽波段范围内均有明显的光响应,峰值位于810 nm附近.在零偏压下,器件在810 nm处的响应度(R)为166mA·W-1,当施加-2V偏压时,R值显著提高至3.24 A·W-1.此外,集成器件呈现出优异的均匀性,64个器件的电流开关比均为60左右.由于良好的性能均匀性,该集成光电探测器可应用于图像传感领域,能可靠地记录近红外光投射的"LASDOP"字母图像,展示了潜在的应用前景.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 PdSe2纳米线薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器
来源期刊 光学学报 学科 物理学
关键词 光电子学 光电探测器 PdSe2纳米线薄膜 近红外光 集成器件 图像传感
年,卷(期) 2021,(21) 所属期刊栏目 光电子学|Optoelectronics
研究方向 页码范围 176-184
页数 9页 分类号 O472.8
字数 语种 中文
DOI 10.3788/AOS202141.2125001
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研究主题发展历程
节点文献
光电子学
光电探测器
PdSe2纳米线薄膜
近红外光
集成器件
图像传感
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学学报
半月刊
0253-2239
31-1252/O4
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海800-211信箱)
4-293
1981
chi
出版文献量(篇)
11761
总下载数(次)
35
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