基于Fan-out技术的三维堆叠封装

• 作者: 姚昕 王斌 张荣臻
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 学科: 工学
• 关键词: 扇出型晶圆级封装工艺;三维堆叠封装;DDR3存储模块;高集成度
• 年，卷（期）: 2025,（6）
• 页码范围: 112-115
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

基于扇出型晶圆级封装工艺（Fan-out工艺）技术的三维集成已成为实现电子系统元器件高集成度、小型化和低成本应用的有效途径。设计了一种基于Fan-out技术的三维堆叠封装DDR3存储模块，其相比于独立10片DDR3芯片在系统板上节省75%的空间。通过对多层堆叠存储模块的系统需求与方案设计分析、电设计与仿真优化研究确定电路的结构与布线设计，最终研制生产的产品接触失效测试正常，功能码正确测试通过，电路各项指标均可满足系统的设计要求，验证了本设计的合理性。