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上海微电子技术和应用1995年出版文献
出版文献量（篇）
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上海微电子技术和应用
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曾用名：
上海半导体
ISSN：
1006-9453
CN：
31-1239/TN
出版周期：
季刊
邮编：
200040
地址：
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文介绍了一种新型的运算放大器－电流反馈型放大器的特性，原理和应用，这种运算放大器的增益－带宽和摆率显著高于一般运算放大器，并且它的频带，摆率建立时间基本上和闭环增益无关，它可用于通讯，雷达...
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年3期页码:摘要： Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金及其与Ｓｉ构成的应变层异质结构，量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料，本文着重综述了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的结构，电学，光学性质及其广...
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33. 电子封装技术简介刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年3期页码:摘要：
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34. 欧洲半导体产业刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年3期页码:摘要：
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： ＳＩＭＯＸ材料埋氧化经层的针孔密度是标定其质量的一个重要参数。本文用改进的二维ＩＲＩＳ程序模拟分析了当注放的硅片表面存在阻挡物时，注入后氧在硅片内的分布，提出也引起针孔的杂擀临界颗粒尺寸的概...
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文通过１６０ＯＷ／２０Ａ、ＮＰＮ／ＰＮＰ功率达林顿对管的研制，介绍ＦＨ３０９１ＲＨ３１０处延平面达林顿对管基本设计考虑，研制主要难点，采取的主要措施，研制结果与应用。
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37. PZT铁电薄膜离子束刻蚀研究刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 以Ｐｔ为上下电极和中间ＰＺＴ薄膜的铁电电容器主要由油射法和离子束刻蚀法制备。研究快速热处理实现铁电相转变的条件和离子束刻蚀工艺对铁电容器图形的影响，选择合理的制备工艺可得到针电电容器。
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38. 薄膜多层布线的CAA刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文以“控制信号发生器”为例讨论了薄膜多层布线的计算机辅助电路分析，为其薄膜四层布线的布图设计做了准备工作，并对结果进行了讨论。
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39. 射频识别技术的发展与应用刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文论述射频识别技术的工作原理、系统的构成及其在各个领域的应用。
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40. 日韩美台DRAM的竞争刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文从ＤＲＡＭ的产量、厂商、投资、品种、技术和价格等６个方面论述日本、韩国、美国及台湾间的竞争。
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如...
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文介绍上海漕河泾新兴技术开发区集成电路产业的发展概况和展刻，阐述了建设科学园区、面向国际市场是我国集成电路产业化的必由之路。
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43. 厚膜技术（四）—调阻技术刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1995年4期页码:摘要：
上海微电子技术和应用基本信息
| 刊名 | 上海微电子技术和应用 | 主编 | |
| 曾用名 | 上海半导体 | ||
| 主办单位 | 主管单位 | ||
| 出版周期 | 季刊 | 语种 | |
| ISSN | 1006-9453 | CN | 31-1239/TN |
| 邮编 | 200040 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 网址 | ||
| 地址 | 上海市胶州路397号 上海半导体器件研究 |
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