VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术

• 作者: 李炳宗
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: VLSI ULSI 集成电路 多层金属互连
• 年，卷（期）: 1995,（4）
• 页码范围: 26-36
• 页数: 11页
• 分类号: TN470.597

摘要

随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。