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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文依据位错的弹性理论建立半导体锗中６０°棱位错模型，用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法计算包含与不包含位错时原子团平均态密度、位错芯及其近邻原子的局域态密度、轨道电子数及原子价，得出了锗中６０°棱位...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 提出了一种改善功率因子和抑制高次谐波的单变换功率因子改善 (PFC)电路。它采用双向开关和同期整流 ,得到了高功率因子、高效率和低高次谐波。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 采用有效质量方法 ,计算了夹在两无限宽势垒层Al0 4Ga0 6As中的单个斜量子阱AlxGa1 -xAs中的束缚态电子包络函数和能级 ,并讨论了阱宽对能级的影响。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 报道了用传统固态烧结工艺制备的金属 PTC陶瓷复合材料的NTC现象 ,研究结果表明这种NTC现象是由于镜像力作用导致金属半导体肖特基势垒高度减低所致。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 半导体超晶格的研究是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术发展史上一颗璀璨的明珠。它的确立、研究与发展 ,不仅对现代电子信息科技 ,而且对低维体系物理、新型材料科学和纳米科学技术的...
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12. 压力传感器的发展,现状与未来刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文通过大量的数据和资料叙述了压力传感器的发展过程、研究现状和发展趋势 ,为从事压力传感器研究的科技工作者提供一些参考。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文介绍了一种对二路随机脉冲尾数求差的原理 ,并在此基础上推出用十进制求差的计算法。同时 ,利用此方法成功地设计了一个可以级联的二路脉冲信号求BCD码差值的集成电路。填补了集成电路对二路脉冲...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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