GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象

• 作者: 夏冠群 宁珺
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 旁栅效应 光敏特性 迟滞现象 深级级 砷化镓衬底
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23

摘要

旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。