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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
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4307
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22
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  • 91. 偏振复用孤子测量差分群时延
    作者： 刘秀敏 张晓光 李朝阳 李荣华 杨伯君
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  331-334
    摘要： 介绍了通过偏振复用孤子测量偏振模色散的基本原理,并且在实验上实现了对保偏光纤的测量,测量结果与通过数值计算得到的保偏光纤的差分群时延符合得很好.在此基础上,对色散位移光纤进行了测量.在目前偏...
  • 92. 偏振模色散的最或然时延差分析
    作者： 刘永智 张晓军 陈海燕 黄小莉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  335-337
    摘要： 提出了用于描述偏振模色散的最或然时延差的概念,导出了最或然时延差的表达式,以及误码率与最或然时延差、传输速率及传输距离之间的函数关系式,为直观、方便地分析系统的偏振模色散供了一种有力的理论方...
  • 93. 新型解复用接收器件的理论分析及实验研究
    作者： 任晓敏 张瑞康 黄永清 黄辉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  338-342
    摘要： 报道了本实验室对一镜斜置三镜腔光电探测器的理论分析以及实验研究方面的最新进展.一镜斜置三镜腔结构是一种新型高性能的光电探测器结构,其中斜镜的引入使得滤波腔与吸收腔之间解耦,因此这种结构的探测...
  • 94. 1.3μm InGaAsP低电流超辐射发光二极管组件
    作者： 朱志文 李金良
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  343-346,350
    摘要： 设计并制作了用于高精度光纤陀螺的1.3μm低电流超辐射发光二极管组件.采用隐埋异质结结构,实现了良好的电流限制和光限制,同时采用长腔结构来提高器件单程增益,从而获得了高的输出功率.组件具有...
  • 95. 新型DVD/VCD光学头用PDIC的研制
    作者： 冯军 李卉 李远境 梁恩主 王志功 郑婉华 陈良惠
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  347-350
    摘要： PDIC是DVD/VCD光学头的关键部件.基于硅基工艺并采用混合集成的方法,研制出DVD和VCD兼容的、功能与国外同类商用产品相当的PDIC.着重介绍了器件设计思想、实现方法和测试结果.
  • 96. 双2×46 CCD红外信号处理器
    作者： 刘方 李仁豪
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  351-353,368
    摘要： 双2×46 CCD 红外信号处理器主要用于8×2元 HgCdTe 红外探测器的信号预处理,理论上它能使系统的信噪比提高21/2倍.详细介绍了双2×46 CCD红外信号处理器的理论设计及制作,...
  • 97. 基于非线性AgGaSe2晶体的光纤 SO2传感器
    作者： 王玉田 王莉田 郭增军
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  354-356
    摘要： 根据SO2气体的吸收光谱,选择波长为1268nm的单极性半导体激光器和波长为1083nm的分布反馈式半导体激光器,经光纤耦合作为泵浦光并通过周期性极化的AgGaSe2晶体叠加,产生对...
  • 98. 晶体材料KTP和LiTaO3的光波导特性
    作者： 孟鸣岐 范云正
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  357-358
    摘要： 通过离子注入法在晶体材料KTP和LiTaO3中形成了平面光波导,根据实验数据计算出了其折射率分布曲线,并对波导特性进行了分析.
  • 99. 高斯光束传输理论在半导体激光器耦合中的应用
    作者： 吴恒锋 毛虎
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  359-361
    摘要： 在TO封装激光器生产过程中,激光器和光纤在耦合时耦合功率与耦合位置呈现一定的关系.针对该过程中出现的这一现象,利用高斯传输定理、模匹配原理和矩阵光学的理论加以分析和解释,得到对TO封装激光器...
  • 100. 用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构
    作者： 余辛 康俊勇 詹华瀚 黄启圣
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  362-364
    摘要： 用Laplace缺陷谱仪(LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中Sn DX 中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因于混晶无序效应.与DLTS的单一谱峰比较,...
  • 101. 电化学沉积多晶GaAs薄膜研究
    作者： 张跃 施兆顺 涂洁磊 苏红兵 陈庭金
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  365-368
    摘要： 研究了电化学沉积GaAs薄膜的条件以及电化学沉积参数对GaAs薄膜成分的影响,并通过正交实验调节这些化学沉积参数,得到了化学计量比接近1∶1的GaAs薄膜以及电化学沉积GaAs薄膜的最佳参数...
  • 102. 大功率晶体三极管温度场的激光全息干涉测量
    作者： 冯斌 张晓超 彭劲松 黄素逸
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  369-371
    摘要： 采用激光全息干涉测量技术测量了轴对称型大功率晶体三极管温度场的全息干涉图;利用MATLAB数字图像处理工具箱对干涉条纹做了判读,并分别运用Abel法和小波变换法重建温度场.测量结果表明,温度...
  • 103. 内调制光敏管非线性及温度特性的补偿系统
    作者： 何民才 戴锋 李学文 钟永春 黄启俊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年5期
    页码:  372-375
    摘要： 介绍了一种在内调制光电探测器的基础上采用单片机系统对其输出信号进行收集并处理,构成二次仪表的实现方法.该方法大大改善了内调制光敏管探测器的非线性及温度特性,且避免了常规硬件补偿的弊端.
  • 104. 光纤通信系统中的色散补偿技术
    作者： 张华 曹文华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  377-382
    摘要： 综述了光纤通信系统中的色散补偿技术,介绍了各种补偿技术的基本原理及其性能特点,讨论了色散补偿技术今后的发展方向.
  • 105. 利用两段PMF的PMD补偿法
    作者： 李朝阳 毛兵成 赵荣华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  383-385,414
    摘要： 提出了利用两段保偏光纤补偿偏振模色散的补偿方案,该方案能够提供足够的带宽,实现密集波分复用系统的多路同时补偿.该系统能够补偿差分群时延可变的光纤的一阶偏振模色散,并且对高阶偏振模色散有一定的...
  • 106. 偏振模色散补偿系统
    作者： 刘秀敏 张晓光 李朝阳 李荣华 杨伯君
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  386-389
    摘要： 以偏振主态原理为基础,利用高双折射光纤作为PMD补偿器,在实验上实现了0～50ps的偏振模色散补偿.这对于长距离,10Gbit/s以上的光通信系统具有重要的实际意义.
  • 107. 零色散附近的调制不稳定性
    作者： 张书敏 徐文成
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  390-393
    摘要： 在同时考虑光纤损耗及高阶色散的前提下,从广义的非线性 Schrdinger方程出发,研究了单模光纤在零色散附近的调制不稳定性.研究表明,当光脉冲工作在最小群速度色散附近时,四阶色散对光纤的...
  • 108. 全光学偏振控制器
    作者： 曹明翠 王铁 罗风光
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  394-396,400
    摘要： 提出了一种全光学偏振控制器,它能够将光纤输出的随机偏振光变为稳定的具有确定偏振态的光信号.整个器件全部采用无源光学元件实现.测试表明,该器件插入损耗小于0.7dB,偏振相关损耗小于0.02...
  • 109. 偏振光在保密通信中的应用研究
    作者： 王敏琦 胡庆 袁绥华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  397-400
    摘要： 利用保偏光纤双折射对环境的响应,提出了通过探测偏振光偏振度的变化进行实时在线侦知窃听的光纤通信系统,在密码保密通信的基础上,进一步提高了光纤通信的保密程度.记录了无窃听时系统在-35～55 ...
  • 110. NORC光开关的阶跃响应
    作者： 刘爱民 吴重庆 王秀彦
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  401-404
    摘要： 基于非线性环形腔(NORC)的光开关以直流光为光源,输入输出为同等的二光平.在研究由耦合器和非线性光纤构成的NORC环的传输特性的基础上,当光源为阶跃信号时,分析了这种光开关的响应速度,分析...
  • 111. 980nm波段泵浦的掺铒硅酸盐玻璃光波导放大器的增益特性
    作者： 刘永智 周元庆 官周国 戴基智 陈海燕
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  405-407
    摘要： 在忽略放大自发辐射(ASE)的情况下,考虑羟基和上转过程的影响,研究了980nm波段泵浦的铒离子注入硅酸盐光波导放大器的增益特性.详细讨论了羟基、上转过程、铒掺杂浓度和泵浦功率对增益的影响...
  • 112. 紧凑型空间调制傅里叶变换光谱仪
    作者： 时善进 沈为民
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  408-410
    摘要： 提出了一种结构简单的紧凑型空间调制傅里叶变换光谱仪,它是基于由两块半五角形棱镜构成的环行共光路干涉分光装置和电荷耦合器件(CCD),具有无机械扫描、全谱同时测量、通光能力强、结构性能稳定和制...
  • 113. GaN基量子阱激光器极化相关增益饱和特性的理论计算
    作者： 姚端正 赵磊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  411-414
    摘要： 通过计算GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的极化相关增益和增益饱和特性作了理论上的计算与分析.具体计算并给出了TE和TM模的增益谱和自饱和系数的曲线,分析了能带结构和载流子面...
  • 114. 多层热释电薄膜红外探测器的PSPICE模型
    作者： 吴小清 姚熹 李波
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  415-419,424
    摘要： 在分析了热释电探测器工作原理的基础上,利用PSPICE的ABM功能建立了多层薄膜热释电红外探测器的等效电路模型.该模型可以模拟多层薄膜热释电探测器热学和电学特性的瞬态响应和频率响应,模拟的结...
  • 115. 气相沉积法制备聚酰亚胺薄膜的光、电特性研究
    作者： 吴洪才 曹猛 郑建邦 马戎
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  420-424
    摘要： 以均苯四甲酸二酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,研究了在3×10-3Pa真空度下,通过控制双源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了聚酰亚胺的预聚体聚...
  • 116. 涡轮LP-MOCVD研制高亮度红光发光二极管
    作者： 刘颂豪 刘鲁 刘鹏 廖常俊 文尚胜 曹明德 王浩 范广涵 邓云龙
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  425-427
    摘要： 采用涡轮LP-MOCVD外延技术,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长20对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管(LED).外延片解理成300μm×300μm管...
  • 117. 利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN
    作者： 刘宝林
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  428-432
    摘要： 在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2O3与GaN缓冲...
  • 118. MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变 GaN的极性
    作者： 刘宝林
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  433-436
    摘要： 讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题.在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS来测量这一极性,最后给出了一种模型来解释这一极性...
  • 119. 并四苯晶体的物理气相沉积
    作者： 刘建军 刘明大 李永军 石家纬 纪平 葛翔 郭树旭 金恩顺
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  437-439,442
    摘要： 设计了水平沉积系统,物理气相生长了并四苯晶体.仅用10～30mg的源,得到了面积达20mm2 的片状晶体.报道了可重复性的晶体生长条件.测试表明,晶体表面光滑,结构非常有序.
  • 120. 硅片接触表面的弹性形变范围
    作者： 余金中 韩伟华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  440-442
    摘要： 提出了键合过程中硅片接触的一种弹性形变模型.接触硅片表面的周期性应力场决定着接触表面形貌的变化.Airy应力函数给出了满足键合界面应力平衡微分方程的解.根据应变场的分布,给出了硅片键合界面弹...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

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