MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变 GaN的极性

• 作者: 刘宝林
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 极性 MOCVD AlN Al
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 433-436
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.06.015

摘要

讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题.在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS来测量这一极性,最后给出了一种模型来解释这一极性的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0