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半导体光电2002年第2期出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 概述了稀土有机配合物电致发光薄膜器件的材料、结构、发光机理以及目前研究的状况、出现的问题和研究的发展趋势.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点.由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能.总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展,从生...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 设计了一种WDM-ISO-TAP混合器件,该器件集成了波分复用(WDM)、隔离器和分光耦合三种功能,可以用于掺铒光纤放大器的后向泵浦.对该器件的加工和装配误差进行了分析,并参照现有器件水平,...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用应变GaInAs/AlGaAs量子阱结构,研制出了激射波长为1.064μm的激光器线阵列.在200ns脉宽、100kHz和50A工作条件下,5mm线阵列的输出功率达到了35W...
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5. 半导体激光器中的光学灾变刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 介绍了用(NH4)2S和P2S5-NH4OH处理半导体激光器的表面来避免光学灾变的方法.重点介绍用氮离子注入形成窗口结构来避免光学灾变.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长较短时,阈值电流密度随腔长的变化而...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si∶H中正空间电荷密度的增加,从而...
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8. 自聚焦图像边缘探测器刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 介绍了一种自聚焦滤波器,它是用二元光学的方法把匹配滤波器和菲涅耳波带片组合在一起,制成一个具有自聚焦功能的位相型元件,用于探测图像边缘信息时可极大地简化光路,并且调节方便,同时提高了衍射效率...
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9. 微环谐振器的弯曲损耗刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 通过解弯曲波导的正规模的方法,从理论上分析了微环谐振器的弯曲损耗与微环的直径、宽度和厚度间的对应关系,给出了微环谐振器的弯曲损耗与微环芯和周围介质折射率对比间的关系.将上述的计算结果与保角变...
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10. X射线线阵CCD刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 通过在CCD表面涂敷荧光物质Gd2O2S,采用荧光转换原理,成功实现了对X射线的探测.介绍了1024位线阵X射线CCD的结构及工作原理,给出了实验结果.器件的动态范围大于3000∶1.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用脉冲与连续激光实现了对面阵CCD探测器系统的干扰,研究了脉冲与连续激光辐照CCD探测器系统时,CCD探测器系统工作状态的变化,测量了CCD探测器系统的饱和阈值范围,并分析了造成饱和的原因...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一.镓源的选择是该技术中重要的一环.详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响,并对...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 报道了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积(PEMOCVD)方法在GaAs(001)衬底上成功地制备出GaN量子点.原子力显微镜(AFM)测量表明成核密度高达1010c...
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14. GaN的极性特征、测量及应用刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： GaN在(0001)方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较,得出结论:(1)...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用光电探测阵列获取光谱信号时,由于光电探测阵列的离散性导致了无法准确地确定光谱峰值位置.对采用多项式拟合高斯光谱峰值定位误差进行了理论分析,提出了对光谱采样信号利用最小二乘法五次多项式拟合...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 在分析红外焦平面非均匀产生原因的基础上,阐述了两点校正法的原理.由于各探测器与相邻单元的增益比率具有相关性的特点,利用相邻单元的增益比率,迭代实现比率和偏差的校正,从而减小其图像的非均匀性....
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20. 一种新型光电式电流互感器的设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 提出了一种新型有源型光电式电流互感器(OECT)的设计方案,采用了光电以及微机技术,集电流、电压、有功功率和无功功率等电网运行参量的测量于一体,同时还提供继电保护设备接口以及与远程控制计算机...
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21. 光子学在半导体工业中的应用刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年2期页码:摘要：
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
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期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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