ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点

• 作者: 徐久军 徐茵 杨大智 王三胜 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ECR-PEMOCVD 量子点 AFM GaN
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 114-117
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.02.013

摘要

报道了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积(PEMOCVD)方法在GaAs(001)衬底上成功地制备出GaN量子点.原子力显微镜(AFM)测量表明成核密度高达1010cm-2,量子点直径约为30nm.采用300℃低温氮化,600℃退火和500℃缓冲层,600℃退火工艺制备.GaN量子点的密度和大小由制备温度和时间所控制.最后讨论了量子点成核的机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	26	207	8.0	13.0
4	杨大智	大连理工大学材料工程系	84	1226	20.0	31.0
5	徐久军	大连海事大学金属材料工艺研究所	110	674	12.0	20.0
6	王三胜	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	13	97	5.0	9.0