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半导体光电2011年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法.在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌.扫描电子显微镜(SEM)...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 在经典力学框架内和Seeger方程基础上,引入正弦平方势,把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程.导出了弯结的形成能、弯结宽度、密度以及系统的激活能和弯结对的临界距离等物理量.指出位错在滑移面...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 为了得到优化的扩散工艺,通过改变扩散时间来改变Ⅱ类单晶硅片电池发射区的掺杂浓度和结深,研究了扩散时间对太阳电池性能的影响.通过太阳电池单片测试仪(XJCM-9)测试电池性能.得到了实验条件下...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 利用电化学阳极氧化法,通过控制电流密度和电解液的成分,在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 在借助光刻等微电子工艺手段的基础上,通过控制交替变换的阳极氧化电流成功地制备出了阵列化的多孔硅一维光子晶体,然后在其表面沉积了一层500nm Si3 N4用于改善其表面粗糙度,使该结构更好地...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用.提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对Al...
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97. AZO/N+-Si欧姆接触的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 文章介绍了AZO/N+-Si欧姆接触特性的研究和AZO/N+-Si欧姆接触的制备新方法.实验发现AZO/N+-Si的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,...
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98. 磁控溅射台电控系统的改造刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 针对当前磁控溅射台存在真空自动准备和手动自动切换不完善等缺点,以DV602磁控溅射台为例,对其电控系统进行了改造.设计了以PLC为控制系统核心、以触摸屏为人机接口的电控系统,控制系统的可靠性...
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99. 复用技术在空间光通信中的应用研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 复用技术能够利用现有的硬件设备和成熟技术,成倍地提高系统容量,已经成为高速空间光通信的重要技术手段.文章从提高信息传输速率的角度出发,研究了偏振复用、波分复用、时分复用、光MIMO以及正交频...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 基于VCSEL激光器阵列,设计和制作了一种12信道的40 Gbit/s甚短距离并行光发送模块.模块单信道传输速率大于3.5 Gbit/s,12信道并行总传输速率高达40 Gbit/s.并行光...
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101. 星地光通信交织RS码设计及性能研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 复杂多变的大气环境极易造成星地光链路的突发错误,交织RS码超强的抗突发能力能有效地纠正信息序列中的突发错误.文章综合考虑时延、交织深度、编码效率三个参数,对交织RS码进行优化设计,计算了固定...
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102. SPN波长转换竞争解决的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 对光分组交换中节点共享(SPN)的结构进行了理论分析,推导出SPN系统的丢包率公式,并对系统丢包率与负载、输入光纤端口数和每纤波长数的关系进行了数值计算.结果表明:当共享波长转换器的数目从0...
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103. 基于输入失调补偿的暗电流抑制读出电路研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： InGaAs光敏元的暗电流是衡量探测器材料性能的一个重要指标.对于2.4 μm延伸波长InGaAs,它的暗电流比1.7μm的要大2～3个数量级.文章简单介绍了InGaAs光敏芯片的暗电流、噪...
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104. 576×96TDICCD相机的研究与设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 设计了一种基于自主研发的576×96 TDI CCD芯片的相机.该CCD芯片共有96级TDI功能,因此相机级数12、24、48、96级可选,相机能在不同照度下清晰成像.经测试,该相机动态范围...
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105. 面阵CCD航测相机像移补偿技术研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 航空相机在拍照瞬间由于飞机的飞行运动和姿态变化而产生像移,要提高照相分辨率必须通过像移补偿来实现.采用在相机与飞机间增设三轴稳定平台的机械式像移补偿法来补偿姿态像移和前向像移,三轴稳定平台的...
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106. 基于线阵CCD的周视图像实时采集系统设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 为了获取具有较大视场的图像数据,设计了一种基于线阵CCD的高分辨率周视图像实时采集系统.完成了系统各硬件电路的模块设计,并采用VHDL语言编程设计了TCD1209线阵CCD驱动时序及A/D转...
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107. 飞行器姿控模糊参数整定PID算法研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 针对光学成像卫星姿态大角度机动控制要求,在力矩受限的情况下,设计了一种模糊参数整定PID算法,通过模糊智能控制器的输出来对经典PID控制器的参数进行整定,并设计了适合的隶属度函数及论域,使模...
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108. 低重频窄脉冲光稳偏技术研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 新一代高功率固体激光装置前端系统大都采用先进的全光纤全固化技术路线,为了实现单模光纤系统长期稳定输出,需要对系统中的偏振态有针对性地进行控制.提出了一种主动偏振控制实现单模光纤系统低重复频率...
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109. SLD光源与温控电路匹配特性研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 针对光源与温控电路匹配问题,开展了光源组件特性的理论和试验研究,分析了影响两者匹配的原因及解决办法.研究结果表明:光源内部组件-半导体制冷器等效内阻RTEC、温控电流ITEC、TEC制冷/加...
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110. 激光隐身效果评估方法研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 激光隐身技术可以降低目标在激光工作波长处的反射特性,从而削弱敌方激光探测设备的探测能力,有效保护己方目标.对目标的激光隐身效果进行评估,对于激光隐身技术的发展和应用具有重要作用,激光雷达截面...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 对构成法布里-珀罗腔(F-P腔)的光纤布喇格光栅的传输特性进行了分析,推导了F-P腔的光强透射率和反射率的解析表达式.将F-P腔内一个光纤布拉格光栅的背面贴一压电陶瓷,通过给压电陶瓷施加扫描...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 针对无特征标志点的大场景多视点云数据,提出了一种新的基于SIFT特征的配准和拼接算法.算法提出了有效纹理图像的概念,并对有效纹理图像进行SIFT特征提取和匹配;然后将提取的SIFT特征点和匹...
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113. 《半导体光电》稿约刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年3期页码:摘要：
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114. LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年4期页码:摘要： GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长,基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低,而沿非极性面生长的GaN外延膜可以改善或消除...
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115. ZnO同质pn结发光二极管研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年4期页码:摘要： 氧化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,制备性能优良的ZnO同质结是ZnO在光电器件领域获得应用的关键之一。文章综述了近几年ZnO同质结发光二极管研究进展,...
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116. 1024×1024全帧CCD器件刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年4期页码:摘要： 采用2μm设计规则,在2μm工艺线上,成功研制了1 024×1 024全帧CCD器件。该1 024×1 024全帧CCD器件的有效像元数为1 024×1 024,像元尺寸为11μm×11μm...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年4期页码:摘要： 采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为：ITO/m-MTDATA（50nm）/LiF（xnm）/NPB（10nm）/Alq（5nm）/C545T（0.05nm...
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118. 1.3μm超辐射发光二极管的辐照性能研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年4期页码:摘要： 研究了1.3μm超辐射发光二极管（SLD）在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位移损伤剂量的概念,给出了器件功率衰减与位移损伤剂量的函数...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年4期页码:摘要： 针对CuPc-PTCDA有机小分子太阳电池,根据光学干涉效应和扩散理论,建立了非相干光吸收模型和激子传输模型,利用Matlab软件模拟了限制有机光伏效率的光吸收和激子扩散过程,模拟了不同激子...
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120. 金刚石薄膜上的高频高功率声表面波滤波器刊名： 半导体光电发表期刊： 2011年4期页码:摘要： 设计了一种Si基金刚石薄膜上的SAW RF MEMS滤波器,其中心频率为400MHz,叉指换能器（IDT）线宽为5μm。采用中物超硬材料公司定制的硅基金刚石薄膜基片,利用射频溅射方法在金刚石...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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