LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展

• 作者: 王步冉 邓宏 陈金菊
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: LED 非极性GaN 横向外延过生长 位错
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 449-454,516
• 分类号: TN383.1
• 语种: 中文

摘要

GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长,基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低,而沿非极性面生长的GaN外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等问题。文章总结了非极性GaN外延膜的制备技术及研究进展,包括平面外延技术和横向外延过生长技术,指出开发非极性GaN自支撑衬底、发展非极性GaN的横向外延生长技术是制备低位错密度非极性GaN的研究方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	309	11.0	16.0
2	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
3	王步冉		3	1	1.0	1.0