非极性GaN薄膜与器件的研究进展

• 作者: 孙孪鸿 徐家跃 王凤超 邹军
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非极性GaN 蓝宝石 同质外延 GaN基器件
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2552-2557,2571
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 6106字
• 语种: 中文

摘要

在传统的衬底上生长出的GaN都是沿着极性轴c轴方向的,非极性GaN薄膜克服了极性薄膜中因为产生内建电场而带来的发光效率和结晶质量的问题.本文主要介绍了非极性GaN薄膜的结构特性、薄膜的制备方法、不同衬底上生长非极性GaN薄膜的研究进展及其器件应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐家跃		87	198	6.0	9.0
2	王凤超		14	29	2.0	5.0
3	邹军		27	96	6.0	8.0
4	孙孪鸿		2	3	1.0	1.0