Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究

• 作者: 周小伟 李培咸 杨扬 贾文博 赵晓云
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 非极性 氮化镓 原子力显微镜 光致发光谱 拉曼谱
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 2625字
• 语种: 中文

摘要

非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象,具有较好的应用前景.用金属有机物化学气相沉积方法,在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜,并选取650℃、750℃、850℃这3个温度对Mg注入GaN薄膜进行退火温度研究.用原子力显微镜、光致发光谱、拉曼谱研究了材料的表面形貌、光学性质以及面内应力.结果表明,在750℃退火时效果较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨扬	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	44	3.0	6.0
2	李培咸	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	324	10.0	17.0
3	周小伟	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	8	31	3.0	5.0
4	贾文博	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	3	1.0	1.0
5	赵晓云	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0